民德电子:今年计划量产产品包括IGBT、FRD以及SiC器件等

民德电子:今年计划量产产品包括IGBT、FRD以及SiC器件等

民德电子近期接受机构调研时表示,新产品方面,公司控股的功率半导体设计公司广微集成,去年在12英寸晶圆代工厂开发的SGT-MOSFET产品,60V系列产品已量产,80V、100V系列产品已完成工程批并预计今年上半年量产,如进展顺利,下半年将启动150V、200V产品开发工作,今年SGT-MOSFET产品有望为广微集成贡献显著收入增长;此外,伴随广芯微电子通线投产,今年还计划量产的产品包括:900-1500V高压MOS、IGBT、FRD以及SiC器件等产品。

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