11月3日，据报道，三星电子计划利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础裸片。该工厂预计本月正式动工，已获得全部产能订单，其中大部分来自AMD。工厂将采用2纳米先进制程，面积约270万平方英尺，是三星首座泰勒工厂的约1.5倍。设备预计于2029年2月起安装，并于2030年实现量产。
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11月3日，据报道，三星电子计划利用其位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础裸片。该工厂预计本月正式动工，已获得全部产能订单，其中大部分来自AMD。工厂将采用2纳米先进制程，面积约270万平方英尺，是三星首座泰勒工厂的约1.5倍。设备预计于2029年2月起安装，并于2030年实现量产。
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