据报道,SK海力士研发主管安炫10月14日表示,到2030年人工智能基础设施的性能规模将增长约20倍。安炫称,SK海力士正研发下一代内存技术,包括3D堆叠DRAM和高带宽闪存(HBF),同时继续提升现有HBM产品的性能。
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据报道,SK海力士研发主管安炫10月14日表示,到2030年人工智能基础设施的性能规模将增长约20倍。安炫称,SK海力士正研发下一代内存技术,包括3D堆叠DRAM和高带宽闪存(HBF),同时继续提升现有HBM产品的性能。
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