9月14日，据报道，三星电机正与高通共同开发用于AI芯片先进封装的“有机桥”技术，双方已开展研发和验证工作超过一年。三星电机还在与其他客户同步开发基于有机桥的2.1D封装基板。据报道，三星电机计划将具有5至7层重新布线层（RDL）的有机桥嵌入FC-BGA基板，目标将线宽和线距缩小至1.5至2微米。该技术被视为英特尔EMIB硅桥封装技术的潜在替代方案。
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9月14日，据报道，三星电机正与高通共同开发用于AI芯片先进封装的“有机桥”技术，双方已开展研发和验证工作超过一年。三星电机还在与其他客户同步开发基于有机桥的2.1D封装基板。据报道，三星电机计划将具有5至7层重新布线层（RDL）的有机桥嵌入FC-BGA基板，目标将线宽和线距缩小至1.5至2微米。该技术被视为英特尔EMIB硅桥封装技术的潜在替代方案。
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