三星;高NA EUV;DRAM量产;2028年

三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

9月8日,三星电子与阿斯麦(ASML)宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于DRAM大规模生产。

三星表示,12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本,并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线,通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。

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