9月1日，三星公布AI存储器发展路线图，预计HBM5性能较HBM4E提升约一倍，同时单位功耗性能提升20%、热阻降低20%。三星还在推进zHBM技术，计划将HBM直接置于AI加速器上方，未来接口性能最高有望达到HBM5的8倍，能效提升至3倍、热阻降低逾一半。
界面新闻
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9月1日，三星公布AI存储器发展路线图，预计HBM5性能较HBM4E提升约一倍，同时单位功耗性能提升20%、热阻降低20%。三星还在推进zHBM技术，计划将HBM直接置于AI加速器上方，未来接口性能最高有望达到HBM5的8倍，能效提升至3倍、热阻降低逾一半。
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