2026年8月4日盘中，元件、先进封装、第三代半导体等板块概念涨幅居前，截至10:36，中证全指集成电路指数强势上涨2.49%，成分股新相微上涨9.42%，国科微上涨8.84%，杰华特上涨8.31%，芯朋微，颀中科技等个股跟涨。
消息面，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》自2026年10月15日起施行。《条例》旨在保护集成电路布图设计专有权，鼓励集成电路技术创新，促进科学技术发展。
AI驱动HBM需求爆发，存储制程升级推高设备投资强度，刻蚀、薄膜沉积等核心环节将充分受益。东吴证券测算，全球HBM晶圆月需求将从2024年2.9万片跃升至2028年44.2万片，CAGR超90%。随着HBM4/E演进，DRAM产能持续被挤占，全球存储进入新一轮扩产周期，薄膜、刻蚀及量检测设备合计占资本开支超50%，国内外存储厂同步扩产背景下，具备平台化能力及国产替代优势的设备龙头成长空间广阔。
数据显示，截至2026年7月31日，中证全指集成电路指数(932087)前十大权重股分别为寒武纪、海光信息、兆易创新、中芯国际、澜起科技、华虹宏力、长电科技、佰维存储、芯原股份、豪威集团，前十大权重股合计占比57.26%。
集成电路ETF嘉实(562820)跟踪中证全指集成电路指数，是布局全产业链芯片龙头的便捷工具。
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