三星电子;英伟达;NAND供应合作;V9闪存;V10闪存

三星电子扩大与英伟达NAND供应合作,加速V9、V10闪存布局

7月21日消息,三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作,在此前已开展DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作的基础上,进一步深化存储芯片供应关系。据报道,三星已开始量产第十代V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代V-NAND(V9)产能,并推进第十一代500层级V-NAND(V11)开发。据悉,三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能,其中约60%产能分配给V9产品。

    广告等商务合作,请点击这里

    未经正式授权严禁转载本文,侵权必究。

    打开界面新闻APP,查看原文
    界面新闻
    打开界面新闻,查看更多专业报道

    热门评论

    打开APP,查看全部评论,抢神评席位

    热门推荐

      下载界面APP 订阅更多品牌栏目
        界面新闻
        界面新闻
        只服务于独立思考的人群
        打开