东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

6月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。

广告等商务合作，请点击这里

打开界面新闻APP，查看原文

打开界面新闻，查看更多专业报道

热门推荐