三星电子、SK海力士拟投资81万亿韩元建设HBM封装设施

三星电子、SK海力士拟投资81万亿韩元建设HBM封装设施

6月29日,韩国政府官员表示,三星电子和SK海力士计划在韩国忠清地区投资81万亿韩元建设HBM(高带宽存储)封装设施,进一步提升韩国AI存储芯片先进封装能力。此前韩国政府已宣布,将推动约800万亿韩元企业投资,在西南地区建设四座存储芯片晶圆厂,并计划未来15年投入30万亿韩元研发下一代存储技术,加快打造覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。

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