截至2026年6月26日午间收盘，科创芯片设计ETF国联安(588780)盘中换手22.95%，成交2.50亿元，成分股方面涨跌互现，芯动联科领涨7.08%，龙迅股份上涨4.42%，中微半导上涨1.23%；澜起科技领跌6.91%，灿芯股份下跌6.83%，南芯科技下跌5.82%。
半导体ETF国联安(512480)盘中换手7.94%，成交18.74亿元，成分股方面涨跌互现，上海合晶领涨13.32%，富创精密上涨13.08%，珂玛科技上涨10.18%；卓胜微领跌7.53%，澜起科技下跌6.91%，中巨芯下跌6.16%。
Wind数据显示，截至6月25日，半导体ETF国联安最新资金净流入5.36亿元。拉长时间看，近4个交易日内，合计“吸金”8.77亿元。科创芯片设计ETF国联安最新资金净流入3120.72万元。
科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。
此外，半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。
消息面上，三星集团将于下周一（6月29日）宣布未来十年在韩国投资1000万亿韩元（约合6480亿美元）的计划，其中包括可能斥资300万亿韩元在韩国西南部建设芯片工厂；这将是韩国公司宣布的金额最大的投资，相当于韩国国内生产总值的一半左右。
此外，IBM宣布推出全球首款亚1nm芯片技术，采用革命性三维“纳米堆叠”架构，将芯片节点推进至0.7nm。新芯片晶体管密度倍增，相较2nm节点可提升50%性能或70%能效，预计最快5年内量产。这标志着半导体行业正式突破纳米尺度极限，迈入原子尺度新纪元。
信达证券表示，半导体设备需求景气，存储龙头上市带来板块催化。AI基建需求井喷下，半导体产业链扩产驱动设备需求景气，同时存储龙头上市为板块带来催化。
风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。
注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、场内流动性最好、同类成交最活跃的产品。
