美光科技;下一代DRAM;下一代NAND;明年下半年;量产阶段

美光科技:预计下一代DRAM与NAND明年下半年开始进入量产阶段

据报道,美光科技6月24日表示,下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好,预计将在2027年下半年开始进入量产阶段。HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍。公司已经累计交付超过10亿美元的HBM4收入。

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