6月11日消息，SK海力士已完成375层3D NAND闪存的量产验证，正准备将技术转移至清州M15工厂现有生产线，预计年内启动量产。工艺方面，SK海力士在375层产品中以钼（Mo）部分替代此前使用的钨（W）作为字线金属栅极材料。钼在细微字线结构中电阻低于钨，可提升信号传输速度及读写擦除性能；且无需在沉积前额外铺设阻挡衬层，有助于实现更高密度结构。
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6月11日消息，SK海力士已完成375层3D NAND闪存的量产验证，正准备将技术转移至清州M15工厂现有生产线，预计年内启动量产。工艺方面，SK海力士在375层产品中以钼（Mo）部分替代此前使用的钨（W）作为字线金属栅极材料。钼在细微字线结构中电阻低于钨，可提升信号传输速度及读写擦除性能；且无需在沉积前额外铺设阻挡衬层，有助于实现更高密度结构。
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