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Arm首席执行官称存储芯片供需持续紧张,科创芯片ETF国泰(589100)盘中涨3.47%,近6月净值上涨48.94%

截至2026年6月2日13:30,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨3.53%,成分股杰华特上涨12.94%,源杰科技上涨12.56%,中船特气上涨11.77%,颀中科技,盛美上海等个股跟涨。

截至2026年6月2日13:30,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨3.53%,成分股杰华特上涨12.94%,源杰科技上涨12.56%,中船特气上涨11.77%,颀中科技,盛美上海等个股跟涨。科创芯片ETF国泰(589100)上涨3.47%。

消息面上,Arm首席执行官Rene Haas表示,包括高带宽存储芯片、DRAM和NAND在内的各类存储芯片的供需平衡都很紧张。Haas表示,未来一段时间内,供应整体仍将保持紧张。他表示,由于之前下行时期时产能扩张不足,存储芯片仍然是最难解决的瓶颈问题。

此外,高盛5月31日发布研究观点预计,到2027年,传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张,且这种紧张态势将持续至2028年,这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性,大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。

基于对行业供需趋紧的判断,高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%,NANDASP则分别增长283%和33%。

截至6月1日,科创芯片ETF国泰近6月净值上涨48.94%,指数股票型基金排名98/4675,居于前2.10%。从收益能力看,截至2026年6月1日,科创芯片ETF国泰自成立以来,最高单月回报为34.67%,最长连涨月数为4个月,最长连涨涨幅为72.96%,涨跌月数比为9/5,上涨月份平均收益率为15.13%,月盈利百分比为64.29%,月盈利概率为62.88%,历史持有1年盈利概率为100.00%。

科创芯片ETF国泰(589100)紧密跟踪上证科创板芯片指数,上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本,以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

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