创达新材;1.1亿元;半导体先进封装材料生产线

创达新材:拟投资1.1亿元建设半导体先进封装材料生产线

4月23日,创达新材发布公告,为增强公司市场竞争优势,支撑核心产业良性发展,公司拟与无锡国家高新技术产业开发区管理委员会签署《工业用地投资发展监管协议》:公司拟购买厂区东侧新地块,用于年产2128吨及40000平方米半导体先进封装材料生产线建设项目(以政府部门核定的名称为准)。

本次项目计划投资金额约1.1亿元,资金来源为公司自有或者自筹资金。2026年4月23日,公司召开第四届董事会第十四次会议,审议通过了《关于拟对外投资暨签订<工业用地投资发展监管协议>的议案》,同意9票,反对0票,弃权0票,该议案无需提交公司股东会审议。

本项目拟在公司东侧购买临近工业用地1997.8平方米,建设半导体先进封装材料生产线。项目达产后,将年产约2128吨半导体先进封装材料及40000平方米环氧膜。项目建设期1.5年。

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