国产存储三巨头;市值超千亿;芯片行业;科创芯片ETF博时(588990);上涨1.60%;冲击8连涨

国产存储三巨头市值均超千亿,芯片行业景气度持续验证,科创芯片ETF博时(588990)上涨1.60%,冲击8连涨

科创芯片ETF博时(588990)涨1.60%,冲击8连涨,近1周涨12.33%;受国产存储巨头市值破千亿及AI驱动DRAM/NAND涨价催化。

截至2026年4月15日 10:23,上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.61%,成分股寒武纪上涨5.64%,杰华特上涨5.48%,峰岹科技上涨3.85%,海光信息,源杰科技等个股跟涨。科创芯片ETF博时(588990)上涨1.60%,冲击8连涨。最新价报2.8元。拉长时间看,截至2026年4月14日,科创芯片ETF博时近1周累计上涨12.33%。

流动性方面,科创芯片ETF博时盘中换手5.58%,成交3001.50万元。拉长时间看,截至4月14日,科创芯片ETF博时近1年日均成交5836.32万元。

消息面上,4月14日,国内存储芯片头部厂商佰维存储、德明利、江波龙总市值均突破千亿元,行业景气度再次得到高度验证。公开数据显示,佰维存储2026年前两个月归母净利润达15亿元至18亿元,同比增幅最高接近1100%。国际方面,4月14日,博通与Meta扩大战略合作,将为Meta训练与推理加速器(MTIA)芯片提供超1吉瓦AI基础设施支持。隔夜美股期货全线上涨,存储芯片盘前普涨。

AI存储需求强劲正重塑数据中心存储结构,带动DRAM与NAND价格大幅上扬。东方证券指出,AI推理过程显著提升对活跃数据存储的需求,叠加存储原厂优先将位元产出分配至服务器相关产品,通用存储供给持续紧张;TrendForce预计2026年Q2一般型DRAM合约价环比上涨58–63%,NAND Flash全产品线合约价季增70–75%。与此同时,CSP客户对涨价及长协接受度高,三星、美光等巨头正与谷歌、微软等签署多年期长期协议(LTA),以锁定未来产能,有望拉长存储厂商盈利周期。

科创芯片ETF博时紧密跟踪上证科创板芯片指数,上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本,以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示,截至2026年3月31日,上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司,前十大权重股合计占比60.99%。

科创芯片ETF博时(588990),场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A:022725;博时上证科创板芯片ETF发起式联接C:022726)。

(文中个股仅作示例,不构成实际投资建议。基金有风险,投资需谨慎。)以上产品风险等级为:中高(此为管理人评级,具体销售以各代销机构评级为准)风险提示:基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具,不同类型的基金风险收益情况不同,投资人既可能分享基金投资所产生的收益,也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况,结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险,不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。

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