截至2026年3月25日 09:47，中证半导体材料设备主题指数(931743)强势上涨4.27%，半导体设备ETF易方达(159558)上涨4.35%，成交7378.84万元。
截至3月24日，半导体设备ETF易方达(159558)近3月规模增长32.06亿元，近1月份额增长1.39亿份，实现显著增长。资金流入方面，半导体设备ETF易方达(159558)近10个交易日内，合计“吸金”1.91亿元。
Wedbush指出，受AI基础设施需求激增及供应紧张影响，DRAM与NAND价格预计今年上半年较去年底涨超100%，其中DRAM涨幅或达130%-150%。美光等厂商受益明显。
近日，深圳市工业和信息化局印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026—2028年）》，计划提出，推动光模块从800G向1.6T/3.2T代际升级，支持800G及以上光模块量产项目落地；重点发展高速率、低功耗硅光模块、CPO/LPO/NPO封装光模块，推动高端薄膜铌酸锂、高端磷化铟等核心技术突破与规模化应用；推动全光交换技术演进与产业化应用，提升核心材料、光芯片、光器件自主研发能力。
东方证券分析指出，在3D NAND层数持续增加背景下，刻蚀设备需满足更高深宽比工艺要求，设备用量占比随之攀升；而每层均需经历薄膜沉积工序，直接带动设备需求量与性能门槛同步抬升。北方华创已实现SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉量产，成功攻克高深宽比填充、高平坦度生长及低温工艺兼容三大瓶颈，标志着国产高端薄膜沉积设备取得实质性突破。
相关标的：半导体设备ETF易方达（159558，A/C：021893/021894），紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数，中证半导体材料设备主题指数选取40只业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，反映半导体材料和设备上市公司证券的整体表现。
