美光科技;英伟达;HBM4内存;量产

美光科技开始为英伟达量产HBM4内存

当地时间3月16日,据报道,美光科技表示,其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货,首批产品为36GB的12层堆叠(12-high)版本,专为Vera Rubin平台打造。该公司表示,HBM4相比上一代HBM3E提升约2.3倍,同时功耗效率提升超过20%。

此外,美光科技表示,目前已向客户提供了16层堆叠(16-high)48GB HBM4的早期样品。与12层版本相比,该型号单颗容量提升33%,能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。

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