三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能

2月27日，据报道，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。

广告等商务合作，请点击这里

打开界面新闻APP，查看原文

打开界面新闻，查看更多专业报道

热门推荐