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蓝海华腾布局第四代半导体领域!科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数昨日强势收涨超1%,实现四连阳!

截至2026年2月10日收盘,科创芯片设计ETF天弘(589070)换手7.3%,成交4854.67万元。跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.25%,实现四连阳。

截至2026年2月10日收盘,科创芯片设计ETF天弘(589070)换手7.3%,成交4854.67万元。跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.25%,实现四连阳,成分股芯原股份上涨8.54%,新相微上涨6.42%,东芯股份上涨6.07%,盛科通信,翱捷科技等个股跟涨。

截至2月10日,科创芯片设计ETF天弘(589070)近2周规模增长1.09亿元,近2周份额增长1.46亿份,实现显著增长。

资金流入方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)近10个交易日合计“吸金”1.29亿元。

【产品亮点】

科创芯片设计ETF天弘(589070)精准卡位云端训练芯片、边缘推理芯片、国产GPU三大高增长细分赛道,完美契合AI算力爆发与国产替代的行业趋势。从数据来看,68%的AI芯片设计市场增速、12%的国产GPU市场份额,为产品提供了坚实的业绩支撑;而40-45倍的合理估值与赛道协同优势,又平衡了35%-45%的高波动风险。对于看好半导体设计赛道长期发展的投资者,科创芯片设计ETF天弘(589070)是一站式捕捉细分赛道红利的高效工具。

【热点事件】

蓝海华腾战略投资镓创未来,布局第四代半导体领域

近日,蓝海华腾正式完成对第四代半导体新锐企业“镓创未来”的战略投资。公司表示,此次战略投资是蓝海华腾在第四代半导体领域的重要布局,双方将共同努力,致力于将镓创未来打造成为具有国际竞争力的第四代半导体核心材料供应商。

【机构观点】

银河证券指出,1月份,存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势,DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调,其中NAND闪存供应价格上调超100%,DRAM价格涨幅达60%—70%。涨价核心驱动因素包括:AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等,供需缺口持续扩大,预计本轮涨价周期将延续至2026年年中。

当前时点,是存储芯片赛道下一轮周期的新起点,在AI服务器需求高速增长叠加国产替代,看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。

【更多产品】

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