截至2026年2月3日 09:57，科创芯片设计ETF(588780)上涨2.04%，盘中换手3.64%，成交3269.48万元。成分股中微半导上涨10.15%，国芯科技上涨4.53%，联芸科技上涨4.39%，普冉股份，芯原股份等个股跟涨。
科创芯片设计ETF(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中，成立时间最早、规模最大的产品，持续关注上涨势头。
消息面上，北京经济技术开发区管理委员会印发《关于进一步加快建设全域人工智能之城的实施方案（2026—2027年）》。其中提到，推进数模混合、存算一体等芯片架构研发创新，延伸场景定义芯片、行业专用芯片、使能软件等产业链条。
市场方面，存储芯片领域两大主要产品类别DRAM与NAND闪存现货价格累计上涨超过300%。相关机构预测，2026年第一季度NAND闪存产品价格将上涨33%-38%，一般型DRAM价格将上涨55%-60%。
Wind数据显示，截至2月2日，41家存储概念公司中，25家披露业绩预告，其中16家预喜，多家公司在2025年第四季度业绩提升明显。存储芯片公司普遍表示，业绩预喜的主要原因是，受AI及算力产业发展拉动，产业进入高景气周期、产品持续涨价，并持续看好未来的景气周期。
中国银河证券认为，在外部环境背景下，供应链安全与自主可控依旧是长期趋势。AI算力需求不减、存储芯片周期上行以及先进封装技术渗透，共同推动半导体设备需求提振，2026年半导体设备市场规模持续增长预期强烈。
全球AI芯片产业加速扩容，云端AI加速器市场焦点正转向效能成本比与供应链稳定性，国元证券预计2026年高阶云端ASIC加速器出货量有望提升至723.4万颗；与此同时，台积电未来两年将全面拉升CoWoS先进封装产能，以匹配英伟达等大厂倍数级增长的产能需求。
科创芯片设计ETF(588780)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。
科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。
风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。
注：“成立最早、规模最大”指截至2026.2.2，科创芯片设计ETF为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。
