易方达上证科创板芯片设计主题ETF,科芯设计,半导体,易方达上证科创板芯片设计主题交易型开放式指数证;存储芯片价格;疯涨;行业超级周期;长牛格局;科创芯片设计ETF易方达;589030;持续受益

存储芯片价格开启“疯涨”模式,行业超级周期确立长牛格局,科创芯片设计ETF易方达(589030)有望持续受益

截至2026年1月22日 14:21,上证科创板芯片设计主题指数(950162)上涨0.34%,科创芯片设计ETF易方达(589030)多空胶着,盘中换手39.6%,成交1.11亿元,市场交投活跃。

截至2026年1月22日 14:21,上证科创板芯片设计主题指数(950162)上涨0.34%,科创芯片设计ETF易方达(589030)多空胶着,盘中换手39.6%,成交1.11亿元,市场交投活跃。

消息面上,美光确认内存芯片短缺延续至2026年后,三星、SK海力士削减NAND闪存产量,存储芯片供需缺口扩大、价格上行。AI基础设施建设带动HBM、高带宽内存需求激增,或有望利好内存接口芯片、存储控制芯片等设计环节,国产存储芯片设计加速突破,进一步打开成长空间。

野村证券分析师判断,存储行业的“超级周期”将至少延续至2027年,真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现。该机构建议,投资者应在2026年继续超配存储龙头,把存储芯片“价格—利润—估值”三击作为2026年存储投资主线,而不是仅把存储当HBM单一题材。

科创芯片设计ETF易方达(589030)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数,上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本,以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

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