文 | 周涛
8月20日，山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称为“天岳先进”）在香港联交所主板正式挂牌交易，成为国内碳化硅衬底领域首家实现“A+H”两地上市的企业。这一动作不仅标志着这家中国第三代半导体材料龙头企业完成资本市场布局升级，更折射出全球半导体产业对中国碳化硅技术突破的认可。
据了解，天岳先进此次IPO港股全球发售4774.57万股H股，占发行后总股本的10%。其中香港发售股份238.73万股，占比5%；国际发售股份4535.84万股，占比95%，并另设15%的超额配股权，对应716.18万股。发行价为每股42.80港元。此次IPO发行价每股42.8港元，首日在港挂牌上市高开6.54%，市值超过200亿港元。
作为专注于碳化硅衬底研发、生产与销售的科技型企业，天岳先进此次港股上市的募资方向清晰指向长期战略。据披露，募集资金一部分将用于海外产能建设，旨在深化与英飞凌、博世等国际头部客户的绑定，进一步拓展全球市场份额；另一部分则投入大尺寸碳化硅衬底的持续研发，巩固其在12英寸产品领域的技术先发优势。通过香港资本市场平台，公司得以拓宽国际融资渠道，为技术攻坚和海外布局注入资本动能。
资本市场动作背后，是天岳先进近年业绩的显著变化与短期波动。财务数据显示，公司2022年尚处亏损状态，净亏损1.76亿元；2023年亏损收窄至4572.05万元；2024年前9个月成功实现盈利，净利润达1.43亿元，完成扭亏为盈的关键跨越。不过2025年一季度业绩出现短期调整，营收4.08亿元同比微降4.25%，归母净利润852万元同比下滑81.52%。
2024年11月，公司推出业内首款12英寸碳化硅衬底，标志着在大尺寸化进程中迈出关键一步；同期液相法技术取得重大突破，率先交付高质量低阻P型碳化硅衬底。截至2024年末，公司累计获得发明专利授权194项、实用新型专利授权308项，其中境外发明专利14项，在碳化硅衬底专利领域位列全球前五。今年6月，其“一种高平整度、低损伤大直径单晶碳化硅衬底”专利获第二十五届中国专利银奖，解决了大尺寸衬底加工的国际性难题。更具标志性的是，天岳先进斩获日本《电子器件产业新闻》第31届半导体年度奖“电子材料类金奖”，打破该奖项31年被国际巨头垄断的局面，成为首个获此殊荣的中国企业。
据日本富士经济报告，2024年天岳先进导电型碳化硅衬底全球市场占有率达22.8%，稳居国际第一梯队；半绝缘型产品连续五年保持全球前三。目前，国际排名前十的半导体企业中多数已成为其客户，全球前十大功率半导体器件制造商中逾半数建立业务合作。
从行业维度看，碳化硅赛道正迎来黄金增长期。弗若斯特沙利文预测，2030年全球SiC功率器件市场规模将超190亿美元，占整体功率器件市场约22.6%；富士经济则预计2035年该市场规模有望突破200亿美元，占比升至40%以上。在新能源汽车、5G通信、特高压输电等下游领域需求驱动下，天岳先进凭借“A+H”双资本平台的支撑，正从技术突破向市场突围加速迈进。
