7月18日,日本半导体制造商Rapidus宣布,已在其创新集成制造工厂(IIM-1)启动2纳米全环绕栅极(GAA)晶体管结构的原型试制,原型晶圆并已启动电性参数测试。
界面新闻
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7月18日,日本半导体制造商Rapidus宣布,已在其创新集成制造工厂(IIM-1)启动2纳米全环绕栅极(GAA)晶体管结构的原型试制,原型晶圆并已启动电性参数测试。
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